CVD 生长二维单层二硒化钨(WSe2)纳米片
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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CVD生长2D Mo2C
制备方法:
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氧化石墨烯/石墨烯柔性透明叠层异质结导电膜(CVD 石墨烯连续膜10cmX10cmPET 基底)
制备方法:利用臭氧处理CVD生长石墨烯多层膜表面,获得GO/G层叠异质膜结构
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二维氮化硼纳米片
制备方法:
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二维氮化硼连续膜
制备方法:铂金属基片表面 CVD 生长加电化学气体 鼓泡方法转移
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CVD生长石墨烯多晶膜(小晶粒尺寸)
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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CVD生长石墨烯多晶膜(梯度晶粒尺寸分布)
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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CVD石墨烯三维泡沫(3cmX1cmX2cm)
制备方法:泡沫镍表面CVD生长加液相转移
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CVD生长二维单层二硫化钨(WS2)纳米片
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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石墨烯/二维α-Mo2C垂直异质结材料
制备方法:金属基片表面CVD生长加湿法转移
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CVD生长石墨烯单晶(大片径)
制备方法:金属基片表面 CVD 生长加液相转移
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氧化石墨烯分离膜
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产品中心
CVD 生长二维单层二硒化钨(WSe2)纳米片
CVD生长2D Mo2C
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