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CVD 生长二维单层二硒化钨（WSe2）纳米片
制备方法：金属基片表面CVD生长加液相转移
已售
待议 -
CVD生长2D Mo2C
制备方法：
已售
待议 -
氧化石墨烯/石墨烯柔性透明叠层异质结导电膜（CVD 石墨烯连续膜10cmX10cmPET 基底）
制备方法：利用臭氧处理CVD生长石墨烯多层膜表面，获得GO/G层叠异质膜结构
已售
待议 -
二维氮化硼纳米片
制备方法：
已售
待议 -
二维氮化硼连续膜
制备方法：铂金属基片表面 CVD 生长加电化学气体 鼓泡方法转移
已售
待议 -
CVD生长石墨烯多晶膜（小晶粒尺寸）
制备方法：金属基片表面CVD生长加液相转移
已售
待议 -
CVD生长石墨烯多晶膜（梯度晶粒尺寸分布）
制备方法：金属基片表面CVD生长加液相转移
已售
待议 -
CVD石墨烯三维泡沫（3cmX1cmX2cm）
制备方法：泡沫镍表面CVD生长加液相转移
已售
待议 -
CVD生长二维单层二硫化钨（WS2）纳米片
制备方法：金属基片表面CVD生长加液相转移
已售
待议 -
石墨烯/二维α-Mo2C垂直异质结材料
制备方法：金属基片表面CVD生长加湿法转移
已售
待议 -
CVD生长石墨烯单晶（大片径）
制备方法：金属基片表面 CVD 生长加液相转移
已售
待议 -
氧化石墨烯分离膜
已售 0
待议
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产品中心
CVD 生长二维单层二硒化钨（WSe2）纳米片
制备方法：金属基片表面CVD生长加液相转移
CVD生长2D Mo2C
制备方法：
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制备方法：
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