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石墨烯/二维α-Mo2C垂直异质结材料 二维材料

制备方法:金属基片表面CVD生长加湿法转移

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产品外观

1cm×1cm硅晶片,样品附着在硅晶片抛光表面

基片材质

带有290nm氧化硅层的硅晶片

包装规格

单片盒装,密封,氩气保护

石墨烯/二维α-Mo2C垂直异质结材料
制备方法:金属基片表面CVD生长加湿法转移
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