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CVD生长石墨烯多晶膜(梯度晶粒尺寸分布) CVD石墨烯

制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移

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产品外观

1 cm × 1 cm硅晶片,样品附着在硅晶片抛光表面

基片材质

带有290nm氧化硅层的硅晶片

包装规格

单片盒装,密封,氩气保护

CVD生长石墨烯多晶膜(梯度晶粒尺寸分布)
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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